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陈咏开 硅片表面沾污是指沉积在硅片表面的粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化膜的一种或几种异星虫族。清洗的一般思路是首先去除表面的有机沾污,然后溶解氧化层金道妍,mcafee下载最后再去除颗粒、金属沾污，同时使表面钝化。
有机物的清洗
硅片表面有机物的去除常用的清洗液是SPM溶液（H2SO4+H2O2+H2O）扈忠汉。 SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于溶液中，并能把有机物氧化生成CO2和水。SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污较重时会使有机物碳化而难以去除钱今凡 。SPM清洗要用到大量的高浓度的H2SO4溶液并且要在高温（120~150℃）下完成，对环境极为不利台北暗杀星。由于臭氧的氧化性比H2O2的氧化行强，可用臭氧来取代H2O2形成SOM溶液，以降低H2SO4的用量和反应温度。
颗粒的清洗
硅片表面的颗粒去除主要用APM（也称为SCI）清洗液（NH4OH+H2O2+H2O）来清洗。在APM清洗液中，由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜（SiO2），呈亲水性冯止水，硅片表面和粒子之间可用清洗液浸透，硅片表面的自然氧化膜和硅被NH4OH腐蚀，硅片表面的粒子便落入清洗液中像小朵一样。粒子的去除率与硅片表面的腐蚀量有关，为去除粒子，必须进行一定量的腐蚀公主耍任性。在清洗液中，由于硅片表面的电位为负，与大部分粒子间都存在排斥力王冰皓，防止了粒子向硅片表面吸附杨其龙。
表面金属的清洗
硅片表面金属沾污的去除常用的清洗液有：
（1）HPM(SC-2)清洗：HCl+H2O2+H2O或HCl+H2O
（2）DHF：HF+H2O2+H2O或HF+H2O
硅片表面金属的存在形式是多种多样的讨厌夏达，它们可以以原子、氧化物、金属复合物、硅化物等形式存在于自然氧化膜表面、自然氧化膜内部、硅与氧化物的界面或硅内部。金属在溶液中的附着特性与pH值、金属诱生氧化物作用、氧化还原电位、负电性、金属致氧化物形成焓以及化学试剂的氧化性等有关。在3<pH<5.6的酸性溶液中，pH值越低，金属越不易附着在硅片上。金属的负电性越低，越不容易附着在硅片表面。
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有机物的清洗
硅片表面有机物的去除常用的清洗液是SPM溶液（H2SO4+H2O2+H2O）扈忠汉。 SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于溶液中，并能把有机物氧化生成CO2和水。SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污较重时会使有机物碳化而难以去除钱今凡 。SPM清洗要用到大量的高浓度的H2SO4溶液并且要在高温（120~150℃）下完成，对环境极为不利台北暗杀星。由于臭氧的氧化性比H2O2的氧化行强，可用臭氧来取代H2O2形成SOM溶液，以降低H2SO4的用量和反应温度。
颗粒的清洗
硅片表面的颗粒去除主要用APM（也称为SCI）清洗液（NH4OH+H2O2+H2O）来清洗。在APM清洗液中，由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜（SiO2），呈亲水性冯止水，硅片表面和粒子之间可用清洗液浸透，硅片表面的自然氧化膜和硅被NH4OH腐蚀，硅片表面的粒子便落入清洗液中像小朵一样。粒子的去除率与硅片表面的腐蚀量有关，为去除粒子，必须进行一定量的腐蚀公主耍任性。在清洗液中，由于硅片表面的电位为负，与大部分粒子间都存在排斥力王冰皓，防止了粒子向硅片表面吸附杨其龙。
表面金属的清洗
硅片表面金属沾污的去除常用的清洗液有：
（1）HPM(SC-2)清洗：HCl+H2O2+H2O或HCl+H2O
（2）DHF：HF+H2O2+H2O或HF+H2O
硅片表面金属的存在形式是多种多样的讨厌夏达，它们可以以原子、氧化物、金属复合物、硅化物等形式存在于自然氧化膜表面、自然氧化膜内部、硅与氧化物的界面或硅内部。金属在溶液中的附着特性与pH值、金属诱生氧化物作用、氧化还原电位、负电性、金属致氧化物形成焓以及化学试剂的氧化性等有关。在3<pH<5.6的酸性溶液中，pH值越低，金属越不易附着在硅片上。金属的负电性越低，越不容易附着在硅片表面。
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