仙界传界面形成的欧姆接触 Nanodcal最新文章：金属单层硒化铟-鸿之微科技
界面形成的欧姆接触 Nanodcal最新文章：金属单层硒化铟-鸿之微科技
引言
新型半导体材料硒化铟，它具有比石墨烯、过渡金属硫化物、黑磷更加优越的性能，比如：具有天然超薄的形态、很高的载流子迁移率，高达2*103cm2（Vs）-1。此外，硒化铟的能隙相当大。这使得它做成的晶体管可以很容易地开启/关闭。这一点和硅很像，使硒化铟成为硅的理想替代材料。人们可以用它来制作下一代超高速的电子设备。
对于新型电子材料器件北方有家人，金属与半导体沟道材料的接触在器件的性能方面起着重要作用死咒岛，如何控制肖特基势垒或者选择合适的金属电极进而优化金属-半导体界面谢玲玉，形成欧姆接触至关重要。大量研究表明：接触电阻不仅与金属的功函数相关，还与界面处的电子结构、化学成键等相关。本文基于NEGF-DFT理论，运用量子输运软件包Nanodcal，通过分析电子结构、电子透射谱、局域态密度和能带偏移等对Au-InSe-Au，Ag-InSe-Ag，Cu-InSe-Cu新型器件结构的界面接触类型进行了系统的研究。计算模型
图1-1：metal-InSe界面
图1-2：metal-InSe-metal FETs
图1-1（a）为metal-InSe界面的俯视图；（b）为metal-InSe界面的侧视图。
InSe的优化后的晶格常数为3.95埃。金属-半导体界面结构构建时需要考虑晶格失配度，本文中：4×4 Au（111）和4×4 Ag（111）分别与3×3 InSe相匹配，2×2 InSe分别与3×3Cu（111）相匹配。
晶格常数的失配度控制在2%以内三国寻娇。为避免层与层之间的相互作用，设置33埃的真空层。详细说明请参见文献戛然而止造句。计算结果与讨论
图2：态密度图（费米能级为0）
图2中，分别计算了单层InSe、InSe-Au、InSe-Ag、InSe-Cu界面的态密度，从图2（a）中可以看出InSe是一个半导体，带隙约为2.81eVd2001 。导带和价带主要是来自于Se4p 和In 5sp 轨道的贡献王爷惧内 。由图2（b，c，d）可以看出来InSe-metal界面均表现为金属行为。由于InSe-Au界面处电荷转移的较少，形成了肖特基势垒。由图2（d）中在费米面附近的态密度最大，形成了欧姆接触，这是因为界面处有很多的轨道交叠。
图3：电荷密度图
为了深入理解这一现象，本文计算了InSe-metal电荷密度来进一步分析。仙界传由图3（c）可知，InSe-Cu界面处的相互作用、成键能力更强。从而使得它的电荷转移要比InSe-Au、Ag要大。
通过研究Au-InSe-Ausp湖北张坤，Ag-InSe-Ag，Cu-InSe-Cu器件结构，从电子透射谱、局域态密度图、能带偏移进一步分析研究了其输运性质浮云玉 ，并计算了源-漏电流（表现为线性关系）博卡思。例征了Cu-InSe界面形成了欧姆接触。如下图4和5。陈艳茜
图4：（a）结构图；（b）平衡态下的电子透射谱；（c）局域态密度图；（d） 能带偏移图
图5：I-V曲线小结
本文通过使用量子输运软件Nanodcal常二宽，计算了金属-半导体-金属场效应晶体管的输运特性，通过计算实空间的局域态密度LDOS和能带偏移分析其形成的肖特基接触和欧姆接触。Cu作为工业界常用的金属曾雅铃 ，由于与新型半导体材料InSe的强相互作用，界面处形成了欧姆接触。当然该电阻越小越好，使得大部分的电压降在活动区而不在接触面，这使得其具有广泛的应用前景。
原文链接：
http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1583/aa75eb/meta
更多异质结的相关文章红叛军，如2012年发表在PANS上W/Au异质结输运性质的研究（原文链接：
http://www.pnas.org/content/109/47/19097.short）。
2014年PRB上单层黑磷可能存在的金属接触metal/BP（原文链接：
https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.90.125441）家有九子 。
2015年发表在PRB上WSe2纳米管异质结的I-V 曲线、电导等输运研究（原文链接：
https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.91.205431）。
如果需要了解更多，请联系我们：
Nanodcal QQ交流群：429128577
邮箱：support@hzwtech.com
引言
新型半导体材料硒化铟，它具有比石墨烯、过渡金属硫化物、黑磷更加优越的性能，比如：具有天然超薄的形态、很高的载流子迁移率，高达2*103cm2（Vs）-1。此外，硒化铟的能隙相当大。这使得它做成的晶体管可以很容易地开启/关闭。这一点和硅很像，使硒化铟成为硅的理想替代材料。人们可以用它来制作下一代超高速的电子设备。
对于新型电子材料器件北方有家人，金属与半导体沟道材料的接触在器件的性能方面起着重要作用死咒岛，如何控制肖特基势垒或者选择合适的金属电极进而优化金属-半导体界面谢玲玉，形成欧姆接触至关重要。大量研究表明：接触电阻不仅与金属的功函数相关，还与界面处的电子结构、化学成键等相关。本文基于NEGF-DFT理论，运用量子输运软件包Nanodcal，通过分析电子结构、电子透射谱、局域态密度和能带偏移等对Au-InSe-Au，Ag-InSe-Ag，Cu-InSe-Cu新型器件结构的界面接触类型进行了系统的研究。计算模型
图1-1：metal-InSe界面
图1-2：metal-InSe-metal FETs
图1-1（a）为metal-InSe界面的俯视图；（b）为metal-InSe界面的侧视图。
InSe的优化后的晶格常数为3.95埃。金属-半导体界面结构构建时需要考虑晶格失配度，本文中：4×4 Au（111）和4×4 Ag（111）分别与3×3 InSe相匹配，2×2 InSe分别与3×3Cu（111）相匹配。
晶格常数的失配度控制在2%以内三国寻娇。为避免层与层之间的相互作用，设置33埃的真空层。详细说明请参见文献戛然而止造句。计算结果与讨论
图2：态密度图（费米能级为0）
图2中，分别计算了单层InSe、InSe-Au、InSe-Ag、InSe-Cu界面的态密度，从图2（a）中可以看出InSe是一个半导体，带隙约为2.81eVd2001 。导带和价带主要是来自于Se4p 和In 5sp 轨道的贡献王爷惧内 。由图2（b，c，d）可以看出来InSe-metal界面均表现为金属行为。由于InSe-Au界面处电荷转移的较少，形成了肖特基势垒。由图2（d）中在费米面附近的态密度最大，形成了欧姆接触，这是因为界面处有很多的轨道交叠。
图3：电荷密度图
为了深入理解这一现象，本文计算了InSe-metal电荷密度来进一步分析。仙界传由图3（c）可知，InSe-Cu界面处的相互作用、成键能力更强。从而使得它的电荷转移要比InSe-Au、Ag要大。
通过研究Au-InSe-Ausp湖北张坤，Ag-InSe-Ag，Cu-InSe-Cu器件结构，从电子透射谱、局域态密度图、能带偏移进一步分析研究了其输运性质浮云玉 ，并计算了源-漏电流（表现为线性关系）博卡思。例征了Cu-InSe界面形成了欧姆接触。如下图4和5。陈艳茜
图4：（a）结构图；（b）平衡态下的电子透射谱；（c）局域态密度图；（d） 能带偏移图
图5：I-V曲线小结
本文通过使用量子输运软件Nanodcal常二宽，计算了金属-半导体-金属场效应晶体管的输运特性，通过计算实空间的局域态密度LDOS和能带偏移分析其形成的肖特基接触和欧姆接触。Cu作为工业界常用的金属曾雅铃 ，由于与新型半导体材料InSe的强相互作用，界面处形成了欧姆接触。当然该电阻越小越好，使得大部分的电压降在活动区而不在接触面，这使得其具有广泛的应用前景。
原文链接：
http://iopscience.iop.org/article/10.1088/2053-1583/aa75eb/meta
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http://www.pnas.org/content/109/47/19097.short）。
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https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.90.125441）家有九子 。
2015年发表在PRB上WSe2纳米管异质结的I-V 曲线、电导等输运研究（原文链接：
https://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.91.205431）。
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